Comme nous l’avons annoncé hier, l’IDF est l’occasion à Intel de présenter ses avancées notamment dans le domaine des gravures plus fines.
Une puce mémoire SRAM (Static Random Access Memory) opérationnelle, gravée à 32 nm, a été dévoilée par Paul Otellini. D’une capacité de 291 Mbit, elle exploite une deuxième génération des transistors « high-k » à portes métalliques et regroupe la bagatelle de plus de 1,9 milliard de transistors. La superficie de ses cellules mémoire est de 0,182 µm².
La mise en production de la gravure en 32 nm devrait démarrer en 2009.
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