Micron
Micron a dévoilé sa mémoire NAND Flash 232 couches. Il s’agit à l’heure d’aujourd’hui de sa technologie la plus avancée.
Cette prouesse est possible au travers de la plateforme CuA contraction de CMOS Under Array. Elle permet d’élaborer une structure à 232 couches. Chaque puce NAND Flash empilée est censée assurer une capacité de 128 Go soit une capacité qui ne se distingue pas de la concurrence.
Micron capitalise cependant sur les performances en promet une augmentation de la bande passante. Cette nouvelle génération de puces a été présentée comme optimisée pour les SSD et autres NAND « gérés », tels que l’eMMC et l’UFS.
Pour l’avenir la feuille de route « NAND Flash » prévoit une démocratisation des produits exploitant plus de 200 couches pour ensuite adopter de la NAND Flash 300 puis 400 couches. Les piles de 300 couches sont en cours de développement tandis que les produits 400 couches sont encore au stade de la recherche.
Dans un avenir immédiat, les puces 232 couches devraient entrer en production de masse vers la fin de cette année. Les premiers produits sont attendus en 2023.
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Voir commentaires
Ca en fait des couches pour essuyer de la m** QLC! :-D
Bizarrement on entend plus parler de la NAND Flash PLC, signe que la
techno NAND Flash a atteint ses limites?