NAND Flash 3D de Samsung
Samsung annonce que sa V-NAND de 9ème génération entrera en production de masse l’année prochaine. Elle mettra en vedette une conception à plus de 300 couches.
Cette V-NAND (nom utilisé par Samsung pour désigner ses puces NAND Flash 3D) va utiliser une technologie de double empilage adoptée pour la première fois en 2020. Elle devrait avoir plus de couches actives que la mémoire Flash NAND 3D de la concurrence. C’est du moins ce que promet Samsung face aux avancées de SK Hynix avec sa NAND Flash 3D à 321 couches actives.
L’augmentation du nombre de couches va permettre d’améliorer la densité de stockage et les performances. Sur ce dernier point les détails manquent pour le moment. Cette mémoire flash est attendue dans les SSD PCIe de prochaine génération du constructeur. C’est peut-être à ce moment-là que nous verrons débarquer les successeurs PCIe 5.0 des series 990 Pro.
Jung-Bae Lee, président et responsable de l’activité mémoire de Samsung Electronics a déclaré
Les nouvelles innovations structurelles et matérielles seront essentielles dans l’ère à venir de la DRAM inférieure à 10 nanomètres (nm) et de la V-NAND verticale à 1 000 couches. En tant que tels, nous développons des structures empilées 3D et de nouveaux matériaux pour la DRAM tout en augmentant le nombre de couches, en diminuant la hauteur et en minimisant les interférences cellulaires pour la V-NAND. La 9e version de la V-NAND, prévue pour 2024, utilise une DRAM de classe 11 nm.
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"L'augmentation du nombre de couches va permettre d'améliorer
la densité de stockage et les performances."
Pas convaincu qu'empiler des plaquettes améliore les performances au
regard de la concentration de chaleur sur une surface plus petite.
D'autant plus pour un SSD muni d'un contrôleur PCI-E 4+ énergivore
réduisant sensiblement le pouvoir de rétentation de la NAND Flash.