DDR3 : Samsung annonce 16 Go à 1,25 Volt
Samsung dévoile un nouveau module mémoire DDR3 pour le moins intéressant puisque la tension de fonctionnement est de 1,25 volt.
Samsung présente une barrette mémoire de 16 Go en DDR3 à 1333 MT/s (MT pour megatransfers par seconde) fonctionnement sous une tension de 1,25 volt. Les 16 Go sont obtenus avec l’utilisation de puces de 512 Mo issues d’une gravure à 3x nm tandis que la consommation électrique est annoncée à 3,7 Watts par heure.
Samsung souligne que l’abaissement de la tension favorise les économies d’énergie. En effet face à une solution équivalente mais paramétrée à 1,35 volt les gains sont de l’ordre de 15% et 60% dans le cas où les puces mémoires sont issues d’une gravure à 4x nm.
Plusieurs déclinaisons sont prévues avec des capacités de 4, 8 et 16 Go. Samsung annonce une disponibilité en 2012, en particulier sur le marché des serveurs.