Samsung dévoile sa DDR3 40 nm éco-énergétique

Après OCZ et ses kits mémoire 4Go DDR3 Low Voltage, c’est au tour de Samsung de dévoiler ses modules mémoire DDR3 éco-énergétiques.

Le constructeur profite du passage à une gravure plus fine (40 nm) de ses modules mémoire pour annoncer la production de barrettes plus respectueuses de la consommation électrique. Fixée à 1,5 Volts par le JEDEC, la tension appliquée est ici de 1,35 Volts.

Avec la mise en production de puces à 256 Mo de DDR3 dédiées en partie aux formats SO-DIMM et U-DIMM de 4 Go, Samsung ouvre la porte à l’arrivée de barrettes DDR3 Low Voltage à destination du grand public.

Source : PC World