Le passage à une gravure plus fine offre de nombreux avantages pour un constructeur dont la possibilité d’optimiser la demande énergétique de son produit. Avec la maîtrise du 40 nm, Hynix annonce la mise au point d’une puce mémoire DDR2 de 2 Go basse consommation.
Après l’utilisation d’une gravure en 54 nm il y a quelques mois, Hynix continue d’améliorer ses processus de fabrication avec désormais l’arrivée du 40 nm. Une telle finesse est à l’origine de l’annonce de nouvelles puces mémoire qui gagnent en capacité et optimisent la demande énergétique. Hynix présente en effet une puce DDR2 de 2 Go basse consommation compatible avec le profil LP DDR2 (Low Power DDR2) du JEDEC. Elle fonctionne sous une tension de 1,2 Volts et affiche une bande passante de 4,26 Gbps.
Cette nouveauté s’adresse en tout premier lieu aux appareils High Tech nomades comme les smartphones par exemple où l’autonomie reste un point clé de leur performance.
La production en masse est attendue pour la mi 2010.
Source : Hynix via Tom’s Hardware
