Lors du Korea Tech Festival 2025 à Séoul, Samsung a été mis à l’honneur pour l’un de ses développements technologiques les plus stratégiques, sa mémoire GDDR7 à 40 Gbps. L’entreprise a reçu une médaille. Cette nouvelle puce, gravée en 12 nm, combine haute vitesse et une capacité de 3 Go (24 Gb), un format crucial pour les futures cartes graphiques.
Cette distinction intervient peu après que Samsung a annoncé avoir échantillonné sa GDDR7 la plus rapide, fonctionnant à 36 Gbps. Cette annonce a été le signal d’une montée en puissance rapide de sa technologie de VRAM.
Des modules GDDR7 de 3 Go déjà en production
Les puces mémoire de 3 Go sont encore rares sur le marché cependant Samsung confirme que ses modules 28 Gbps sont en production de masse. Ils seraient destinés, selon plusieurs analystes du secteur, à la prochaine mise à jour “SUPER” des cartes graphiques NVIDIA GeForce RTX 50. Ce rafraîchissement est attendu pour 2026.
Concernant les modules 40 Gbps, ils sont encore en phase d’échantillonnage et la construction de stock est nécessaire avant de pouvoir être intégrés à un produit commercial. Le but est d’assurer une chaîne d’approvisionnement robuste pour les GPU haut de gamme à venir.
SK Hynix vise encore plus haut
Samsung n’est pas seul dans cette course à la bande passante. SK Hynix, autre géant sud-coréen, prépare une offensive technique qui pourrait changer la donne. Lors de l’ISSCC 2026, l’entreprise présentera une puce GDDR7 de 24 Gb capable d’atteindre 48 Gbps, grâce à une architecture à double canal symétrique et des interfaces internes repensées.
Cette vitesse représente une augmentation de plus de 70 % par rapport aux modules GDDR6 actuels à 28 Gbps. La bande passante par puce devrait grimper de 112 Go/s à 192 Go/s.
