CXMT dévoile ses modules DDR5-8000, la Chine franchit une nouvelle étape

Lors de l’Expo internationale des semi-conducteurs de Chine 2025, CXMT a frappé fort en dévoilant ses premiers modules mémoire DDR5-8000 et LPDDR5X-10667 entièrement développés localement. Il s’agit des composants les plus avancés jamais produits par le fabricant, un bond technologique qui le place désormais au niveau des leaders internationaux comme Samsung, SK Hynix ou Micron.

Ces nouvelles mémoires visent avant tout les centres de données et les infrastructures d’intelligence artificielle, des secteurs où la Chine dépend encore fortement de technologies étrangères. Cette amélioration de la production locale de DRAM est donc une étape clé pour réduire cette dépendance.

Des vitesses comparables aux leaders mondiaux

La DDR5 de CXMT atteint une vitesse de 8 000 MT/s, tandis que la LPDDR5X grimpe à 10 667 MT/s. Des performances qui s’alignent sur les puces les plus rapides du marché, à l’image des derniers modules LPDDR5X et LPDDR6 de Samsung, qui culminent à 10 700 MT/s.

Les modules LPDDR5X sont annoncés en versions 12 Go et 16 Go, tandis que les modules DDR5 cibleront des capacités de 16 Go et 24 Go. CXMT prévoit des puces sous différentes formes allant de la  RDIMM, MRDIMM et TFF MRDIMM pour les serveurs à de la UDIMM pour les PC grand public en passant par la SODIMM pour les ordinateurs portables et les CUDIMM et CSODIMM pour l’overclocking et des stations de travail.

Encore trois ans de retard ?

Selon TechInsights, CXMT a déjà commencé à fournir ses nouvelles puces DRAM gravées en 16 nm, notamment intégrées dans les modules Gloway DDR5-6000.  Cette avancée s’inscrit dans une progression rapide amorcée depuis les nœuds 23 nm (G1), puis 18 nm (G2), jusqu’au 16 nm actuel. Cependant, malgré cette montée en puissance, CXMT reste encore environ trois ans derrière Samsung, SK Hynix et Micron en matière de finesse de gravure et de rendement industriel.