HBM4E, SK hynix accélère sur la mémoire IA avec une puce de 48 Go
Elle est déjà dans les mains de ses clients
SK hynix franchit une nouvelle étape dans la course à la mémoire pour l’intelligence artificielle. Le groupe sud-coréen annonce l’expédition à plusieurs grands clients de ses premiers échantillons de HBM4E. Il s’agit d’une nouvelle génération de mémoire DRAM empilée destinée aux accélérateurs IA, aux centres de données et aux plateformes de calcul intensif.
La HBM, pour High Bandwidth Memory, est aujourd’hui l’un des composants clés de l’IA moderne. Les GPU et les accélérateurs spécialisés utilisés pour l’entraînement des grands modèles et l’inférence ont besoin d’une bande passante mémoire massive. C’est précisément sur ce terrain que SK hynix se renforce face à la concurrence.
Une nouvelle étape pour la mémoire HBM
Les premiers échantillons concernent une version HBM4E à 12 couches. L’entreprise travaille désormais avec ses partenaires afin de préparer la production de masse selon le calendrier attendu.
Cette HBM4E promet des évolutions importantes par rapport à l’actuelle génération. La puce atteint une vitesse maximale de traitement de 16 Gbps par broche. Elle améliore aussi l’éfficacité énergétique de plus de 20 %. C’est un critère majeur car les infrastructures IA sont à l’origine d’une consommation électrique et de dégagements thermiques très importants. Le sujet est un enjeu majeur pour l’environnement et le porte feuille. A noter que le constructeur indique avoir aussi amélioré la résistance à la chaleur de 17 % par rapport à la HBM4
Concernant les performances cette HBM4E devrait réduire les goulets d’étranglement entre les unités de calcul et la mémoire, un problème récurrent dans les systèmes IA de grande échelle. SK hynix évoque une latence de transfert réduite et de jolies avancées en matière de capacité. Grâce à sa la technologie MR-MUF, une capacité de 48 Go dans une pile HBM4E à 12 couches est possible.
