Une nouvelle norme industrielle DDR5 est à l’étude. AMD et le JEDEC collaborent autour de la MRDIMM contraction de multi-ranked buffered DIMMs.
L’objectif est de pouvoir répondre, du moins en partie, aux besoins constants et grandissants de bande passante des systèmes de serveurs. C’est un problème difficile à résoudre. L’ajout de plus de mémoire à ses limites sachant que la taille des cartes mères est finie tandis que des solutions comme la HBM sont coûteuse.
Face à cette situation le JEDEC aidé d’AMD travaille sur une nouvelle norme qui tente de relever le défi. Elle passe par la technologie MRDIMM. L’idée est de combiner deux modules DIMM DDR5 sur un seul module pour doubler la bande passante. En clair la connexion de deux modules DIMM DDR5 calibrés à 4 400 MT/s permet de créer un seul module DIMM à 8 800 MT/s. Tout ceci est possible à l’aide d’un tampon de données spécial qui à partir de deux modules DIMM à double débit de données (DDR) permet une conversion en module DIMM à double débit de données (QDR). Nous avons un accès simultané aux deux rangs de mémoire.
Les MRDIMM de première génération devrait assurer des vitesses allant jusqu’à du 8 800 MT/s. Les générations suivantes devraient de leur côté viser les 12 800 MT/s puis 17 600 MT/s. La MRDIMM de troisième génération serait entrevue après 2030.
A noter qu’Intel a une solution similaire, la MCRDIMM contraction de Multiplexer Combined Ranks DIMM. Elle est censée voir le jour en 2024/2025. SK Hynix fabrique déjà de tels modules MCRDIMM.
Encore une norme débile (aka MRDIMM) au service d’un lobby (AMD) poussé
par un comité Théodule aux membres triés sur le volet infiltrés au sein
d’un organisme de normalisation (JEDEC) dont la fonction est travestie
en organisme de promotion de technologies privatives sans analyse de
l’état de l’art et sans consultation des pros du secteur (cf. Samsung,
Micron, Rambus, Synopsys, Cadence, etc)
Par ailleurs, le principe de la REDO-RAM (RAID EDO-RAM) pose un sérieux
problème de dissipation thermique en l’absence de progrès significatif
dans les fonderies d’autant plus pour un serveur sur rack au volume
disponible limité.
J’imagine que comme pour la DDR5, les promoteurs de cette techno
privative vont baratiner un max en abaissant la tension de seuil
de fonctionnement de 10 % (i.e. 1,0 V) au prix d’un temps d’accès
sévèrement allongé en glorifiant la gravure 0 nm d’un fondeur
asiatique et en réalisant une sélection de microbenchmarks pour
justifier la transition vers une techno très onéreuse pour un gain
de performance globalement insignifiant (i.e. inférieur à 10 %).