Kioxia déploie sa mémoire BiCS Flash de 10e génération à 332 couches

Kioxia franchit une étape dans la mémoire flash 3D. Le constructeur annonce le début des livraisons d’échantillons de puces TLC de 1 Tb, soit 1 térabit, basées sur sa technologie BiCS Flash de 10e génération.

Ces nouvelles puces sont destinées aux SSD d’entreprise et des centres de données. La production est assurée par son usine Kitakami Fab2, située dans la préfecture d’Iwate, au Japon.

332 couches et une densité en forte hausse

Cette 10e génération de BiCS Flash repose sur un empilement de 332 couches. Kioxia annonce également une amélioration de la densité latérale, ce qui permet d’augmenter significativement la densité globale de bits.

Face à la 8ème génération, la densité progresse de 59 %. Cette avancée est appréciée dans le domaine des SSD professionnels. Elle permet d’augmenter les capacités, d’améliorer les performances et d’offrir de manière plus global un environnement mieux adapté aux contraintes des centres de données. Ainsi cette BiCS Flash atteint une vitesse d’interface NAND de 4,8 Gb/s. Kioxia évoque une progression de 33 % par rapport à la 8e génération. L’efficacité énergétique est aussi mise en avant avec des gains de 18 % en écriture et 30 % en lecture. Pour les centres de données, ce point est stratégique.

A noter que nous retrouvons plusieurs technologies déjà introduites avec la 8e génération de BiCS Flash, dont le CMOS directly Bonded to Array, ou CBA, ainsi que l’On-Pitch Select Gate Drain, ou OPS.