DDR3 éco-énergétique : Samsung annonce ses puces 4 Gb à 40 nm

Après l’annonce en septembre 2009 de l’arrivée de nouveaux modules DDR3 éco-énergétiques, Samsung dévoile aujourd’hui la mise en production de masse de nouvelles puces DDR3 4 Gb issues d’une gravure à 40 nm.

L’utilisation de cette finesse de gravure permet d’assurer un fonctionnement à 1600 MHz sous une tension d’alimentation de 1,5 Volts ou 1,35 Volts.

Plusieurs fabricants seraient déjà en procession de ces nouveautés afin d’assurer la conception de barrettes SO-DIMM 8 Go ou de RDIMM 16 et 32 Gb.

Samsung rappelle que le passage à 40 nm offre l’opportunité d’abaisser les besoins énergétiques de 35%. L’ensemble de sa production de puces de mémoire DDR devrait rapidement adopter cette nouvelle finesse de gravure.

Source : TechConnect