Samsung dévoile un nouveau module mémoire DDR3 pour le moins intéressant puisque la tension de fonctionnement est de 1,25 volt.
Samsung présente une barrette mémoire de 16 Go en DDR3 à 1333 MT/s (MT pour megatransfers par seconde) fonctionnement sous une tension de 1,25 volt. Les 16 Go sont obtenus avec l’utilisation de puces de 512 Mo issues d’une gravure à 3x nm tandis que la consommation électrique est annoncée à 3,7 Watts par heure.
Samsung souligne que l’abaissement de la tension favorise les économies d’énergie. En effet face à une solution équivalente mais paramétrée à 1,35 volt les gains sont de l’ordre de 15% et 60% dans le cas où les puces mémoires sont issues d’une gravure à 4x nm.
Plusieurs déclinaisons sont prévues avec des capacités de 4, 8 et 16 Go. Samsung annonce une disponibilité en 2012, en particulier sur le marché des serveurs.
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