Le fondeur japonais Elpida emboite le pas à Samsung concernant la maitrise d’une nouvelle finesse de gravure concernant la mémoire DDR3. Sa première puce DDR3 4 Gb à 25 nanomètres vient d’être dévoilée.
Issue d’une gravure à 25 nm, cette solution DDR3 fonctionne à 1866 MT/s sous des tensions de 1,5 ou 1,35 volt. Le constructeur se distingue surtout au niveau de la capacité avec 4 Gb annoncés par puce, soit 512 Mo. Samsung n’a annoncé le lancement de la production que de puces de 2 Gb.
Avec le passage à 25 nm, Elpida annonce une nette amélioration de sa productivité (+45% face au 30 nm) ainsi qu’une réduction de la consommation de 25 à 30 % en activité et de 30 à 50 % au repos. Les prochaines barrettes embarquant cette nouvelle génération s’adressent en priorité aux appareils nomades tels que Smarphones, tablettes et ordinateurs portables où l’autonomie est un critère de premier choix.
La mise en production en masse est prévue pour la fin de l’année.
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